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首页> > 产品中心 > 6/8英寸 碳化硅SiC长晶设备

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6/8英寸 碳化硅SiC长晶设备
品 牌 ：shnti
型 号 ：标准
产 地 ：中国
关键词 ：6寸， 8寸 长晶炉
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PVT碳化硅晶体生长工艺主要通过设置合适的长晶温度以及长晶气压，在此温度以及气压下SiC发生明显的分解与升华，产生Si和SiC蒸气压，在高温炉内形成的温度梯度作用下向低温方向输送并凝聚在顶部和底部较低温度处，形成SiC晶体.

Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶体生长系统是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。广泛应用于SiC晶体生长、原料合成、晶体热处理领域。可以生长6/8英寸的晶锭。