简介
阴较为荧光系统(Cathodoluminescence, CL)通常配置在扫描电镜或透射电镜中,能够实现形貌观察、结构和成分分析同阴较为荧光光谱的结合研究,实现全光谱荧光扫描成像。阴较为荧光激发所用的电子束束斑非常小,能量高;相比于光致发光( Photoluminescence, PL)阴较为荧光具有高空间分辨、高激发能量、宽光谱范围、大激发深度等特点,并能够实现全光谱荧光扫描成像。阴较为荧光系统结合扫描电子显微镜能够在小尺度对半导体材料与器件、荧光材料(地质、考古材料)等实现形貌观察、结构和成分分析同阴较为荧光光谱的结合研究,在半导体、微电子、材料、物理、地质、考古等领域得到了广泛的应用。特别在微米、纳米尺度的半导体量子点、量子线等荧光物质的发光性质及电子结构的的研究领域,阴较为荧光技术具有重要的应用价值。
技术能力
俞大鹏院士领导的研究团队利用这种超高空间分辨的阴较为荧光光谱技术系统开展了一系列国际领先的研究工作,主要包括1)研究了半导体纳米/微米线材料的力电耦合性质,应变梯度对发光能量、精细电子结构和激子输运动力学机理的影响规律等非常有趣的应变引起的物理效应,他们正在进一步研究应变可能引起的玻色-爱因斯坦凝聚的新奇物理现象;2)利用这种高空间分辨的阴较为荧光光谱技术系统开展了金属纳米腔中表面等离激元(SPPs)的色散关系、模式分布规律及其物理起源。
主要功能
实现形貌观察、结构和成分分析同阴较为荧光光谱的结合研究
实现全光谱荧光扫描成像
实现全谱/单谱成像、光谱采集、阴较为荧光光谱面分布
氮化镓基发光器件的阴较为荧光全谱成像(左图);氮化镓基发光器件在不同激发能量下的阴较为荧光光谱特性(右图)
弯曲ZnO 微米线(直径1.8μm)CL 实验测量结果。a.样品的SEM 图片;b 和c,无应变和弯曲部位的线扫CL测量结果;d.带边发光峰的移动量随横截面内应变的变化
平滑银金属表面微腔结构中的三维表面等离激元共振模式
DUV-LED器件的阴较为荧光全谱成像与光谱分析
工业用荧光粉(YAG)的阴较为荧光成像与光谱分析
半导体激光器器件
半导体微纳结构与器件
地质材料