型号:

 


窗体顶端

窗体底端

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 SHNTIX-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低),穿透能力越差,所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在离轴状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时,也需要较薄的薄膜窗口,便于X射线更好地穿透。

  SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成,由于此种 氮化硅窗口选用低应力氮化硅(0-250MP)薄膜,因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和 透射能谱等广泛的科学研究领域,例如,X-射线(上海光源透射成像/能谱线站)、TEMSEMIRUV等。 


现在SHNTI可以提供X-射线显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗系列产品,规格如下:
外框尺寸 (4种标准规格): 

5 mm x 5 mm (窗口尺寸:1.0 mm 或和 1.5 mm 方形) 

7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸:2.0 mm 或 2.5 mm) 

10 mm x 10 mm (窗口尺寸:3.0 mm 或 5 mm 方形) 

边框厚度: 200μm381μm525μm
Si3N4薄膜厚度:50100150200nm
SHNTI也可以为用户定制产品(30-500nm),但要100片起订。 

本产品为一次性产品,SHNTI不建议用户重复使用,本产品不能进行超声清洗,适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 

X射线用氮化硅窗口类似,透射电镜(TEM)用氮化硅薄膜窗口也使用低应力氮化硅薄膜基底。但整体尺度更小,适合TEM装样的要求。窗口有单窗口和多窗口阵列等不同规格。同时SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。 

  

现在SHNTI可以提供透射电镜(TEM)用氮化硅薄膜窗系列产品,规格如下:
外框尺寸: 

3 mm x 3 mm (窗口尺寸:0.5 mm,薄膜厚度:50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:100 nm) 边框厚度: 200μm381μm
Si3N4薄膜厚度: 50nm100nm
SHNTI也可以为用户定制产品(30-200nm),但要100片起订。
本产品为一次性产品,SHNTI不建议用户重复使用,本产品不能进行超声清洗,适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 

 

  

技术指标: 


表面平整度:
  我们认为薄膜与其下的硅片同样平整, TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度为:0.6-2nm。完全适用于TEM表征。 

亲水性
  该窗格呈疏水性,如果样品取自水悬浮液,悬浮微粒则不能均匀地分布在薄膜上。用等离子蚀刻机对薄膜进行亲水处理,可暂时获得亲水效果。虽然没有对其使用寿 命进行过测试,但预期可以获得与同样处理的镀碳TEM网格相当的寿命。我们可以生产此种蚀刻窗格,但无法保证其使用寿命。如果实验室有蚀刻工具也可对其进 行相应的处理提高其亲水性能。 

  

温度特性:
氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品,能够承受1000度高温,非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。 

  

化学特性:
氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。 

  

  

应用简介和优点: 

1、 适合TEMSEMAFMXPSEDX等的对同一区域的交叉配对表征。
2、 大窗口尺寸,适合TEM大角度转动观察。
3、 无碳、无杂质的清洁TEM观测平台。
4、 背景氮化硅无定形、无特征。
5、 耐高温、惰性衬底,适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境,(薄膜直接沉积在窗口上)。
6、 生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后,窗口具有很好的亲水性。。
7、 耐高温、惰性衬底,也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。
8、 适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。 

氮化硅薄膜应用范围非常广,甚至有时使不可能变为可能,但所有应用都有无氮要求(因样本中有氮存在):
惰性基片可用于高温环境下,通过TEMSEMAFM(某些情况下)对反应进行动态观察。
作为耐用基片,首先在TEM下,然后在SEM下对同一区域进行匹配
作为耐用匹配基片,对AFMTEM图像进行比较。
聚焦离子束(FIB)样本的装载,我们推荐使用多孔薄膜,而非不间断薄膜。 

窗体顶端

窗体底端

窗体顶端

 SHNTI的氮化硅薄膜窗口是一款价格非常优惠的产品,应用也非常广泛。它可以应用在TEMX-RaySEM等等分析测试上。 

  在TEM上,可以完全避免碳膜的背景影响;在X-Ray上能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。特别在离轴状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时,也需要较薄的薄膜窗口,便于X射线的更好穿透。 

  现有技术一般采用计量式或ST氮化硅薄膜,但ST薄膜具有较高的残余应力,不够结实,容易破裂。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口是一种低应力的承载工具(也可以作为微型培养皿、支撑膜),改进了原有技术的缺陷。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口具有良好的透光性、平整性、耐高温、化学惰性、亲水性、实用性、稳定性等。 

 

 

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  The Silicon Nitride film window of SHNTI is the most cost-effective products, its applications is very wide. It could use for analysis like TEMX-RaySEM and so on.It can completely avoid the background of carbon when it be used at TEM analysis. 

  Silicon nitride film window used in the X-Ray can be achieved maximum transmission rate of soft X-ray (such as vacuum ultraviolet). The softer X-ray, the lower energy the worse penetrating it could have, so that it required thinner silicon nitride window. Especially in the “off-axis” work module (i.e. film and beam at a certain angle),we also need thinner film window, and better X-Ray penetration. 

  Commonly measurement of existing technology or ST Silicon nitride film, although it has a high residual stress to the ST film, they are not strong enough, and easy to break. Based on the needs of X-ray microscopy and transmission imaging, Silicon nitride film on the soft X-ray must satisfy the smaller absorption. The Silicon nitride film windows supplied by SHNTI are low stress load tools (also available as mini-dish, support film), that improved the shortcomings of the original technology. 

acteristics Silicon nitride film windows of SHNTI: 

1The transmittance 

In estimating the transmission performance of the film, the absorption line should be noticed, if it’s necessary to consider the optical properties, absorption limit should be lower than 13nm. When the absorption limit is 13nm,100nm thick film transmittance is 44%; When the absorption limit is 2.4nm, the light transmission decline to 13%. 

2Flatness 

Silicon nitride film window film is smooth, strength, density is good, very stable surface smoothness (roughness less than 1nm). Normally there’s no negative effect for the application. We can see that the surface of silicon nitride thin film situation by the AFM testing. 

3Temperature 

The products can be used in high temperature areas, it is able to withstand 1000 degree centigrade heating, It’s very suitable for the surface of a silicon wafer substrates grown by CVD using a variety of nano-materials. 

4chemically inert 

No reaction with other inorganic acids , except HF. 

5Hydrophilic 

SHNTI silicon nitride film window does not have the hydrophilic nature itself.

窗体顶端

窗体顶端

X-射线薄膜窗口能够实现软 X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。X-射线越软,能量越低,穿透能力越差,所需氮化硅薄膜窗口越薄。特别在离轴状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时,也需要较薄的薄膜窗口,便于 射线的更好穿透。现有技术一般采用计量式或ST氮化硅薄膜,但 或ST薄膜具有较高的残余应力,不够结实,容易破裂。而且基于 X-射线显微透射成像需要,氮化硅薄膜对软-X射线必须满足有较小的吸收。另一方面,有时我们会提到薄膜窗口透光性能,即视觉上其可以透视。如在透光显微镜下,薄膜只有超过一定厚度,透光性能才会减弱。在估算薄膜的透光性能时,应当注意吸收界限,如果需要考虑光学性能,吸收界应低于13nm,当吸收界限为13nm时,100nm厚的薄膜透光度为 44%;吸收界限为12.4nm时,透光度降为13%
  因此,在氮化硅薄膜窗口、支撑淡化过薄膜的衬底选择及薄膜、衬底的厚度控制上,以及氮化硅薄膜窗口的射线透过特性上,现有的氮化硅窗口都有缺陷。鉴于上述问题,本实用型设计一种X-射线显微镜透射成像用的窗口。 
  本实用新型涉及一种用于同步辐射X射线透射显微成像时承载工具,特别涉及一种 射线显微透射成像用窗口,包括控制厚度的硅晶片衬底、氮化硅薄膜窗口沟槽、控制厚度的低应力氮化硅薄膜,由于此种氮化硅薄膜窗口选用低应力氮化硅薄膜,比 计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。本实用新型氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域。例如,X-射线(光源透射成像/能 谱线站)、TEMSEMIRUV等。氮化硅薄膜窗口成膜光滑,强度大、致密性好,表面平整性很稳定(粗糙度小于1nm),对于X-射线应用没有任何 影响;可应用于高温领域,能够承受1000 度高温,非常适合在硅晶片衬底表面利用CVD方法生长各种纳米材料;具备较好的薄膜窗格透光性能。
氮化硅薄膜窗口系列(常规窗口,200um硅片厚度)
SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:50nm   
SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:100nm   
SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:150nm   
SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:200nm   
SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:2.5×2.5mm,膜厚:50nm  
SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:2.5×2.5mm,膜厚:100nm   
SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:2.5×2.5mm,膜厚:150nm   
SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:2.5×2.5mm,膜厚:200nm   
SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口,框架:10×10mm,窗口:3×3mm,膜厚:50nm   
SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口,框架:10×10mm,窗口:3×3mm,膜厚:100nm   
SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口,框架:10×10mm,窗口:3×3mm,膜厚:150nm   
SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口,框架:10×10mm,窗口:3×3mm,膜厚:200nm 

氮化硅薄膜窗口阵列系列(常规窗口,200um硅片厚度)

SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm2×2阵列,膜厚:50nm   

SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:1.5×1.5mm3×3阵列;膜厚:50nm   

SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口,框架:10×10mm,窗口:1.5×1.5mm4×4阵列;膜厚:100nm 

氧化硅薄膜窗口系列(常规窗口,200um硅片厚度)

SO-505-15 氧化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:50nm   

SO-510-15 氧化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:100nm   

SO-520-15 氧化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:150nm   

SO-705-25 氧化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:1.5×1.5mm3×3阵列,膜厚:50nm   

SO-710-25 氧化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:1.5×1.5mm3×3阵列,膜厚:100nm   

SO-720-25 氧化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:1.5×1.5mm3×3阵列,膜厚:200nm 

氮化硅薄膜窗口系列(常规窗口,200um硅片厚度)

SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架:10×10mm,窗口:2×2mm,膜厚:100nm,金膜厚度:10nm   

SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架:10×10mm,窗口:2×2mm,膜厚:200nm,金膜厚度:10nm   

SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架:7.5×7.5mm,窗口:2×2mm,膜厚:100nm,金膜厚度:10nm   

SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架:7.5×7.5mm,窗口:2×2mm,膜厚:200nm,金膜厚度:10nm
特殊定制产品

SN-5H5-15 氮化硅基底框架:5×5mm,硅片厚度:200um,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:500nm  

SN-5H10-15 氮化硅基底框架:5×5mm,硅片厚度:200um,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:1000nm   

SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整张,10×10mm切片 

其他特殊规格窗口:
氮化硅薄膜窗口系列(特殊窗口,200um硅片厚度)

SN-LDE-12A-50 氮化硅薄膜窗口,框架:12mm×12mm,窗口:5mm×5mm,膜厚:50nm 

SN-LDE-12B-50 氮化硅薄膜窗口,框架:12mm×12mm,窗口:5mm×5mm,膜厚:100nm   

SN-LDE-12C-50 氮化硅薄膜窗口,框架:12mm×12mm,窗口:5mm×5mm,膜厚:150nm   

SN-LDE-12D-50 氮化硅薄膜窗口,框架:12mm×12mm,窗口:5mm×5mm,膜厚:200nm  

氮化硅薄膜窗口系列(特殊窗口,200um硅片厚度)

SN-LDE-12A-30 氮化硅薄膜窗口,框架:12mm×12mm,窗口:3mm×3mm,膜厚:50nm 

SN-LDE-12B-30 氮化硅薄膜窗口,框架:12mm×12mm,窗口:3mm×3mm,膜厚:100nm   

SN-LDE-12C-30 氮化硅薄膜窗口,框架:12mm×12mm,窗口:3mm×3mm,膜厚:150nm   

SN-LDE-12D-30 氮化硅薄膜窗口,框架:12mm×12mm,窗口:3mm×3mm,膜厚:200nm  

氮化硅薄膜窗口系列(特殊窗口,200um硅片厚度,镀金属元素)

SN-510-1-Al2000 框架:5mm×5mm,窗口:1.5mm×1.5mm,膜厚:100~200nmAl膜厚2000nm 

SN-510-1-Mg2000 框架:5mm×5mm,窗口:1.5mm×1.5mm,膜厚:100~200nmMg膜厚2000nm 

SN-510-1-Cu100 框架:5mm×5mm,窗口:1.5mm×1.5mm,膜厚:100~200nmCu膜厚100nm 

SN-510-1-Fe100 框架:5mm×5mm,窗口:1.5mm×1.5mm,膜厚:100~200nmFe膜厚100nm 

SN-510-1-Mn100 框架:5mm×5mm,窗口:1.5mm×1.5mm,膜厚:100~200nmMn膜厚100nm 

SN-510-1-Ni100 框架:5mm×5mm,窗口:1.5mm×1.5mm,膜厚:100~200nmNi膜厚1000nm 

SN-510-1-Ca1000 框架:5mm×5mm,窗口:1.5mm×1.5mm,膜厚:100~200nmCa膜厚1000nm 

SN-510-1-Ge1000 框架:5mm×5mm,窗口:1.5mm×1.5mm,膜厚:100~200nmGe膜厚100nm 

SN-510-1-Se1000 框架:5mm×5mm,窗口:1.5mm×1.5mm,膜厚:100~200nmSe膜厚1000nm 

SN-510-1-Cr100 框架:5mm×5mm,窗口:1.5mm×1.5mm,膜厚:100~200nmCr膜厚100nm 

SN-510-1-Co100 框架:5mm×5mm,窗口:1.5mm×1.5mm,膜厚:100~200nmCo膜厚100nm 

SN-510-1-Ga5 

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